[发明专利]铜互连MIM电容器的制造工艺和铜互连MIM电容器结构在审
| 申请号： | 201911324548.0 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN111128956A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 刘俊文 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及铜互连MIM电容器的制造工艺和铜互连MIM电容器结构。其中铜互连MIM电容器制造工艺，包括：提供第一低介电常数层，在第一低介电常数层中制造第一铜导电结构；在第一低介电常数层上形成第二低介电常数层；在第二低介电常数层中开设电容图形窗口，使得电容图形窗口与第一铜导电结构相连，与电容图形窗口相连的第一铜导电结构为MIM电容器的下电极；沉积介电层；使得介电层覆盖在第二低介电常数层的上表面，和电容图形窗口的底面、侧面；向覆盖有介电层的电容图形窗口内镀铜形成MIM电容器的上电极；对第二低介电常数层的上表面进行平坦化处理。通过上述制造工艺制造铜互连MIM电容器结构。本发明能够解决相关技术中制造工艺较为复杂，制造效率较低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 mim 电容器 制造 工艺 结构 | ||
【主权项】：
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