[发明专利]LDMOS的制作方法及LDMOS器件有效
| 申请号： | 201911324628.6 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN111129153B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 刘俊文;陈华伦;陈瑜 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张彦敏 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及LDMOS的制作方法及LDMOS器件，涉及半导体集成电路制造工艺，通过热氧化生长工艺在半导体衬底表面形成一层二氧化硅层，其厚度根据LDMOS台阶氧化层所需的厚度设定，因此二氧化硅层不仅作为硬质掩膜层与半导体衬底之间的过渡层，并可作为LDMOS器件的台阶氧化层，并将其形成工艺集成在隔离沟槽的形成工艺中，因此相对于现有技术的形成LDMOS器件的工艺，本发明的工艺更加简单，成本低；且通过热氧化生长工艺形成的二氧化硅层质量好，因此以其形成的台阶氧化层缺陷较少，可大大提高LDMOS器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 制作方法 器件 | ||
【主权项】：
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