[发明专利]基于CMOS双阱工艺的EDMOS制作方法及其结构有效
| 申请号： | 201911325110.4 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN111128893B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 刘俊文 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种基于CMOS双阱工艺的EDMOS制作方法及其结构。其中，制作方法包括：提供第一导电类型衬底；在第一导电类型衬底的高压EDMOS区域中，形成第一导电类型高压阱；在第一导电类型高压阱上形成第一栅极结构；在位于第一栅极结构两侧的第一导电类型高压阱中，分别形成第一导电类型体区和第二导电类型漂移区；在第一导电类型体区中形成第一源极，在第二导电类型漂移区中形成第一漏极；在第一栅极结构和第一漏极之间形成热电子阻挡层；在热电子阻挡层上形成金属硅化物阻挡层。其中，基于CMOS双阱工艺的EDMOS为通过上述制作方法直接制造而成的结构。本发明的制作工艺和结构能够有效地缓解HCI效应对高压器件可靠性的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 cmos 工艺 edmos 制作方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
