[发明专利]单分散硫化铅纳米团簇的低温制备方法有效
| 申请号： | 201911325895.5 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN111003725B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 王向华 | 申请（专利权）人： | 上海比英半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C01G21/21 | 分类号： | C01G21/21;C09K11/66;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 卢敏 |
| 地址： | 200080 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了单分散硫化铅纳米团簇的低温制备方法，其包括团簇生长、表面铅原子的巯基硅烷钝化、硫原子的卤素取代钝化三个阶段。本发明的制备方法，可在低温条件下获得超细(不大于1.5nm)的单分散的PbS纳米团簇，且方法简单，无需隔离水氧，具有合成产率高、适合批量生产的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 分散 硫化铅 纳米 低温 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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