[发明专利]基于界面缺陷态发光CdS/Si原型近红外光二极管的制备方法有效
| 申请号： | 201911326232.5 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN111048640B | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 李勇;姬鹏飞;周丰群;宋月丽;田明丽;袁书卿 | 申请（专利权）人： | 平顶山学院 |
| 主分类号： | H01L33/28 | 分类号： | H01L33/28;H01L33/02;H01L33/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 郑州大通专利商标代理有限公司 41111 | 代理人： | 石丹丹 |
| 地址： | 467000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明属于异质结制备技术领域，特别是涉及一种基于界面缺陷态发光CdS/Si原型近红外光二极管的制备方法，首先以多孔多晶硅模板为衬底，利用磁控溅射技术在多孔多晶硅模板的表面预沉积CdS薄膜；然后再利用化学水浴法沉积一层CdS薄膜，制备CdS/Si异质结原型二极管；最后进行退火处理，对异质结界面的缺陷态进行调控。本发明利用CdS/Si异质结的缺陷态发光获得近红外光发射，提高二极管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 界面 缺陷 发光 cds si 原型 红外光 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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