[发明专利]垂直型发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201911329534.8 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN110993750B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 蒋振宇;闫春辉 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 李庆波 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种垂直型发光二极管及其制造方法。该方法包括：在生长衬底上生长至少第一缓冲层，第一缓冲层的材料为本征GaN、本征InGaN以及本征AlInGaN中的任意一种或组合；在第一缓冲层上生长n型接触层；在n型接触层上生长基于AlGaN材料体系的发光外延层，在发光外延层远离n型接触层的一侧键合转移衬底；从第一缓冲层和生长衬底的接触面剥离生长衬底；在保留的n型接触层远离发光外延层的一侧形成第一电极。通过上述方式，第一缓冲层作为牺牲层，帮助完成从生长衬底的接触面剥离生长衬底，在确保AlGaN材料体系的发光外延层生长质量的前提下，有效降低该发光外延层从生长衬底的剥离难度。同时，提高n型AlGaN半导体层的欧姆接触，提高n型AlGaN半导体层的电流扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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