[发明专利]一种掩膜版、掩膜版系统及制备、光刻方法有效
| 申请号： | 201911330390.8 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN113009776B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 贾宜訸;丁向前;张小祥;韩皓;杨连捷;宋勇志;庞妍 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/54 | 分类号： | G03F1/54;G03F1/68;G03F1/80;G03F1/76 |
| 代理公司： | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人： | 张聪聪 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种掩膜版、掩膜版系统及制备、光刻方法，该掩膜版包括：基板、以及在基板上形成的透光区域和非透光区域；非透光区域中，在基板上顺次设置有第一氧化膜层、遮光层和第二氧化膜层；第一氧化膜层用于对入射光经由基板反射后的反射光进行干涉相消，第二氧化膜层用于对待曝光板卡的反射光进行干涉相消。可见，本方案中，通过两层氧化膜层对反射光进行干涉相消，减少了反射的杂质光，能够提高曝光精度。此外，两层氧化膜层吸收部分反射光，进一步减少了反射的杂质光，能够进一步提高曝光精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掩膜版 系统 制备 光刻 方法 | ||
【主权项】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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