[发明专利]一种硅片的制备方法和一种硅片、一种电池片有效
| 申请号： | 201911332838.X | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN113089092B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 马欣宇;梁万松;赵卫;郑绍科;李江 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06;C30B33/02;H01L31/042;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅片的制备方法和一种硅片、一种电池片。该制备方法包括以下步骤：S1、熔化硅料并进行长晶，得到预制硅锭，对预制硅锭进行第一次降温，降至1320‑1380℃，然后进行第一次保温，接着随炉冷却，得到硅锭；S2、将硅锭进行开方及切片，得到预制硅片；S3、对预制硅片进行分段退火处理，得到硅片。对预制硅锭的快速退火，且对快速退火后得到的硅锭制备硅片，并对硅片进行分段退火处理，能够有效降低位错密度，抑制位错增值，提高硅片的少子寿命，从而提高由该硅片制备得到的电池片的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 制备 方法 电池 | ||
【主权项】：
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