[发明专利]一种CMOS毫米波超宽带并联非对称单刀双掷开关在审

专利信息
申请号: 201911333221.X 申请日: 2019-12-23
公开(公告)号: CN110943728A 公开(公告)日: 2020-03-31
发明(设计)人: 杨格亮;廖春连;陈明辉;王旭东;魏伟;吴迪 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 河北东尚律师事务所 13124 代理人: 王文庆
地址: 050081 河北省石家庄市中山西路5*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明公开了一种CMOS毫米波超宽带并联非对称单刀双掷开关,属于射频集成电路技术领域。该开关由三个NMOS晶体管、三个片上电阻器、三个片上电感器、一个片上电容器、射频发射端口、射频接收端口、天线端口、收发选择控制端口和接地端口组成,其中,TX支路由两个NMOS晶体管和两个片上电阻组成Cascode并联结构,RX支路由一个NMOS晶体管和一个片上电阻组成单晶体管并联结构。本发明能够有效降低TX支路的损耗、提升TX支路的线性度有利于TX通道的功率传输,可用于毫米波超宽带相控阵系统前端实现高集成度、高性能的收发切换。
搜索关键词: 一种 cmos 毫米波 宽带 并联 对称 单刀 开关
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