[发明专利]一种SOI顶层硅片的测量修饰系统在审
| 申请号： | 201911333672.3 | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN111106027A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 刘胜;陈文;吴国强;孙成亮;东芳 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/762;B81C1/00;G01B15/02;G01B15/08;G01N23/2055 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 许莲英 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种SOI顶层硅片的测量修饰系统。本发明将XRD检测系统和激光直写技术集成于一起，提供了一种能够同时对SOI顶层硅片的表面粗糙度进行检测以及对SOI顶层硅片表面粗糙度进行修饰的系统。通过XRD发射源将X射线发射到SOI顶层硅片的表面，再通过XRD接收器接收硅片表面发射的信号分析得到SOI顶层硅片的表面粗糙度，然后通过激光直写装置对SOI顶层表面粗糙度不符合要求的区域进行修饰，通过闭环控制系统对SOI顶层硅片的表面粗糙度进行修饰直到其表面粗糙度达到要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 soi 顶层 硅片 测量 修饰 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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