[发明专利]一种半导体基片用声光磁复合抛光装置及抛光方法在审

专利信息
申请号: 201911336780.6 申请日: 2019-12-23
公开(公告)号: CN110948293A 公开(公告)日: 2020-04-03
发明(设计)人: 潘继生;卓志佳;阎秋生 申请(专利权)人: 广东工业大学
主分类号: B24B1/00 分类号: B24B1/00;B24B1/04;H01L21/67;H01L21/304
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 王锦霞
地址: 510060 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及超精密加工的技术领域,更具体地,涉及一种半导体基片用声光磁复合抛光装置及抛光方法,包括磁流变抛光组件、催化剂添加组件、光催化组件以及兆声波催化组件,磁流变抛光组件包括第一驱动电机、抛光轴以及抛光盘,抛光轴与第一驱动电机连接且抛光轴可伸入至抛光盘内侧,抛光盘内盛装有磁流变液、抛光盘下方设有在抛光盘内形成磁场的电磁组件、抛光盘的下部连接有驱动抛光盘旋转的驱动组件,催化剂添加组件与抛光盘连通,光催化组件设于抛光盘旁侧,兆声波催化组件与抛光盘连接。本发明向磁流变液内添加催化剂,配合光催化组件及兆声波催化组件,磁流变机械抛光与化学氧化腐蚀作用同时进行,具有较好的加工效率和加工质量。
搜索关键词: 一种 半导体 基片用 声光 复合 抛光 装置 方法
【主权项】:
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