[发明专利]发光二极管在审
| 申请号： | 201911341696.3 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN111129255A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 张锺敏;金彰渊;林栽熙 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 姜长星;张川绪 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管。所述发光二极管包括：基板；半导体堆叠层，布置于所述基板的下部，且包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及介于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的活性层；光阻挡层，以在所述基板的上表面限定发光面的方式覆盖所述基板的侧面以及上表面。所述基板的侧面包括与所述第一导电型半导体层的上表面垂直的侧面和与所述垂直的侧面倾斜的侧面。所述发光二极管还包括：欧姆反射层，电连接于所述第二导电型半导体层；第一凸块焊盘和第二凸块焊盘，布置于所述欧姆反射层的下部，且分别与所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
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