[发明专利]一种电泵浦垂直外腔面发射激光器芯片及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201911341977.9 申请日: 2019-12-24
公开(公告)号: CN111146688A 公开(公告)日: 2020-05-12
发明(设计)人: 朱丽华;高阳 申请(专利权)人: 江西德瑞光电技术有限责任公司
主分类号: H01S5/183 分类号: H01S5/183;H01S5/187;H01S5/028;H01S5/10;H01S5/00
代理公司: 南昌洪达专利事务所 36111 代理人: 黄文亮
地址: 330000 江西省南昌市*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 发明公开了一种电泵浦垂直外腔面发射激光器芯片及其制备方法,包括依次设置的衬底、n型掺杂DBR、中间介质层、量子阱有源层、中间介质层、p型掺杂DBR和帽层;所述衬底的上表面设置有抗反射涂层和n面金属接触层电极,所述抗反射涂层和n面金属接触层电极之间形成沟槽结构一;所述帽层远离所述p型掺杂DBR的端面上设有SiO2钝化介质层和顶部接触层;所述SiO2钝化介质层和顶部接触层的下表面设有p面金属接触层电极;所述p型掺杂DBR和帽层、SiO2钝化介质层、顶部接触涂层、p面金属接触层电极上设有竖直的沟槽结构二。本发明载流子限制作用好、性能更好。
搜索关键词: 一种 电泵浦 垂直 外腔面 发射 激光器 芯片 及其 制备 方法
【主权项】:
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