[发明专利]一种基于GaAs工艺的输出缓冲电路有效

专利信息
申请号: 201911344970.2 申请日: 2019-12-24
公开(公告)号: CN111010164B 公开(公告)日: 2023-08-25
发明(设计)人: 潘晓枫;林宗伟;林瑞;李颂;江伦伯;徐波 申请(专利权)人: 中电国基南方集团有限公司
主分类号: H03K19/01 分类号: H03K19/01;H03K19/0175
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 葛潇敏
地址: 211153 江苏省南京*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开一种基于GaAs工艺的输出缓冲电路,包括第一电阻、第二电阻、第一至第四PHEMT管、第一至第五肖特基二极管;第一电阻在输入信号为‑5V时发挥作用,从而开启第二PHEMT管与第三PHEMT管,将下拉路径打开;第二电阻在输入信号为‑4.2V时发挥作用,开启第四PHEMT管,将上拉路径打开。此种电路将输入电平充电至相对应的所需电平,起到电平位移以及电流驱动的作用,同时使输出电路的切换时间相对较小,从而满足系统高性能的要求,保证了芯片的安全可靠性。
搜索关键词: 一种 基于 gaas 工艺 输出 缓冲 电路
【主权项】:
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