[发明专利]一种等离子体处理装置有效
| 申请号： | 201911346160.0 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN113035679B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 杨金全;黄允文 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 徐雯琼;章丽娟 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种等离子体处理装置，该装置包含：真空反应腔，所述真空反应腔内具有上电极和下电极，上电极和下电极相对设置；隔离环，包围所述上电极；射频屏蔽件，环绕设置于隔离环的外侧，并与所述隔离环连接；若干个发热体，位于所述射频屏蔽件内；若干个真空电极，分别与所述发热体连接；若干个波纹管，一端与所述射频屏蔽件连接，另一端与反应腔的顶部连接。其优点是：将隔离环、射频屏蔽件和发热体等部件相结合，保证了在工艺过程中隔离环始终处于高温状态，防止了隔离环本身被聚合物所污染，同时，高温的隔离环依靠高温辐射也可提高晶圆片外边缘区域的刻蚀速率，不会因为隔离环的温度而影响晶圆的刻蚀速率，从而保证了晶圆刻蚀的均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
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