[发明专利]晶圆抛光方法有效
| 申请号： | 201911348422.7 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN110919467B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 李振华;刘会红 | 申请（专利权）人： | 深圳佰维存储科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00 |
| 代理公司： | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人： | 张鹏 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆抛光方法，对待处理晶圆进行第一次抛光处理；然后对第一次抛光处理后的抛光盘的抛光面进行打磨，使抛光面表面粗糙；用打磨后的抛光盘的抛光面对待处理晶圆进行第二次抛光处理。本发明通过对第一次抛光处理后的抛光盘进行打磨，使其表面具有一定的粗糙度，然后再用打磨后的抛光盘对待处理晶圆进行第二次抛光处理，使得在晶圆表面可形成微粗糙的磨痕，克服了现有技术中铜离子污染的技术问题，达到了保证原有的抛光功能，减少铜离子污染，提高产品良率，保证产品使用质量，达到稳定存储数据的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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