[发明专利]一种电阻式存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201911348857.1 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN111029363B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 沈鼎瀛 | 申请（专利权）人： | 厦门半导体工业技术研发有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京乐知新创知识产权代理事务所(普通合伙) 11734 | 代理人： | 江宇 |
| 地址： | 361008 福建省厦门市软件*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电阻式存储器，用于提高该电阻式存储器的存储密度。上述电阻式存储器包括多个电阻式存储记忆胞，设置于一基板上，所述的电阻式存储记忆胞包括一第一可变阻抗单元和一第二可变阻抗单元，所述电阻式存储记忆胞还包括一第一开关单元和一第二开关单元。所述第一开关单元耦接于第一可变阻抗单元，所述第二开关单元耦接于第二可变阻抗单元。还包括一第三可变阻抗单元，所述第三可变阻抗单元耦接于第一开关单元或第二开关单元。本发明还涉及电阻式存储器的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电阻 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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