[发明专利]一种CMOS反相器的制备方法在审
| 申请号： | 201911349982.4 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN111128680A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 谢华飞;陈书志;李佳育 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/34;H01L51/40;H01L27/28 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 张晓薇 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种CMOS反相器的制备方法，该方法包括：在基底上印刷氧化物墨水，对所述印刷有氧化物墨水的基底进行退火处理，使所述氧化物墨水发生反应，以得到第一有源层；所述氧化物墨水为硝酸铟和硝酸锌的混合溶液；在所述基底上制作第一源极和第一漏极，并在第一源极和第一漏极之间印刷碳管墨水，形成第二有源层，以得到第一薄膜晶体管；所述碳管墨水包括半导体碳纳米管和聚合物，且所述聚合物包裹所述半导体碳纳米管；在所述第一有源层的两侧制作第二源极和第二漏极，以得到第二薄膜晶体管；在所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管之间形成导线，以得到CMOS反相器。本发明的CMOS反相器的制备方法，能够降低功耗和提高稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 反相器 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL华星光电技术有限公司，未经TCL华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911349982.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
