[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201911350772.7 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN113035771B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 朱文明;黄仁瑞 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 冯永贞 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有半导体器件的主体部分；在所述半导体衬底上形成第一介质层并对所述介质层进行蚀刻，以形成通孔露出需要电连接的半导体器件的主体部分的电连接区域；在所述第一介质层上形成金属层，以覆盖所述第一介质层并填充所述通孔，以与露出的所述电连接区域形成电连接；在金属层上形成掩膜层并进行图案化；蚀刻金属层，以在金属层中形成侧壁竖直的凹槽；以流量比为2:4.5～6的Cl |
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| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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