[发明专利]磁阻存储器中的冗余磁性隧道结在审
| 申请号： | 201911351407.8 | 申请日： | 2015-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN110827879A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | D·豪撒梅迪恩;J·斯劳特 | 申请（专利权）人： | 艾沃思宾技术公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张丹 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 自旋力矩磁性随机存取存储器(MRAM)中的存储器单元在每个存储器单元内包括至少两个磁性隧道结，其中，每个存储器单元只存储信息的单个数据位。即使当存储器单元内的磁性隧道结中的一个有缺陷并且不再正常运行时，与存储器单元耦接的存取电路系统也能够对存储器单元进行读取和写入。可以结合多磁性隧道结存储器单元来使用自参考和参考读取。在一些实施例中，对存储器单元的写入迫使所有磁性隧道结成为已知状态，而在其它实施例中，迫使磁性隧道结的子集处于已知状态。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 存储器 中的 冗余 磁性 隧道 | ||
【主权项】：
暂无信息
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