[发明专利]发光二极管在审
| 申请号： | 201911352708.2 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN111081841A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 张锺敏;金彰渊;林栽熙 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/50;H01L33/62;H01L33/22;H01L33/24 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 姜长星;张川绪 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管，其包括：基板；第一导电型半导体层；台面，包括活性层和第二导电型半导体层；欧姆反射层，覆盖第二导电型半导体层；下部绝缘层，覆盖欧姆反射层，包括使第一导电型半导体层暴露的第一开口部和使欧姆反射层暴露的第二开口部；第一焊盘金属层，布置于下部绝缘层之上，通过第一开口部电连接于第一导电型半导体层；第一凸块焊盘，与第一导电型半导体层电连接；第二凸块焊盘，与第二导电型半导体层电连接；波长转换器，布置于基板之上；侧面反射层，覆盖基板的侧面和第一导电型半导体层的侧面；白色势垒层，覆盖波长转换器和侧面反射层。侧面反射层在水平方向上与第一焊盘金属层隔开，从而与第一焊盘金属层不重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
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