[发明专利]薄膜晶体管的图案制作方法、薄膜晶体管以及光罩有效
| 申请号： | 201911354912.8 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111128878B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 钟舒婷;张宁 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368;G03F1/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 杨艇要 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 薄膜晶体管的图案制作方法、薄膜晶体管以及光罩。本申请公开一种TFT的图案制作方法以及光罩，用于使光通过位于TFT上方的光罩上设置的与TFT位置对应的孔，在TFT上产生两种及以上光阻叠加，抵消半导体AS层上的反射光，保证TFT正常工作。本申请实施例方法包括：TFT接收喷涂装置涂布第一光阻；TFT通过第一类型的光罩接收第一次曝光；TFT进行第一次显影形成第一图案；TFT接收喷涂装置在第一图案上涂布第二光阻；TFT通过第二类型的光罩接收第二次曝光；TFT进行第二次显影形成第二图案；TFT接收喷涂装置在第二图案上涂布第三光阻；TFT通过第三类型的光罩接收第三次曝光；TFT进行第三次显影形成目标图案，其中在三种类型的其中两个类型中，在两列像素的遮光层上，至少有一列像素的遮光层上开设有孔。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 图案 制作方法 以及 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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