[发明专利]用于集成电路的低电阻率互连件及其形成方法在审
| 申请号： | 201911355302.X | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111446205A | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 迦尼士·海兹;哈索诺·S·席姆卡 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京汇知杰知识产权代理有限公司 11587 | 代理人： | 吴焕芳;杨勇 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提出一种用于集成电路的互连件及其形成方法。形成用于集成电路的互连件的方法，包含：标识互连件势垒材料；标识多种潜在掺杂元素；形成包含互连件势垒材料的潜在势垒结构的集合体，互连件势垒材料在多个掺杂位置处且以多种潜在掺杂元素中的每一种的多个掺杂量掺杂；计算集合体的势垒结构中的每一个的态密度；基于态密度来选择掺杂元素和掺杂量；以及沉积包含合金的势垒层，合金包含互连件势垒材料和在所选掺杂量下的所选掺杂元素。本公开的互连件可降低导电金属/势垒界面的电阻率和导电金属/势垒堆叠的垂直电阻率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 集成电路 电阻率 互连 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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