[发明专利]一种RHPD-12T抗辐照SRAM存储单元电路在审
| 申请号： | 201911355521.8 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111128271A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 赵强;彭春雨;卢文娟;吴秀龙;蔺智挺;陈军宁 | 申请（专利权）人： | 安徽大学 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412;G11C11/419;G11C11/418 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;陈亮 |
| 地址： | 230601 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种RHPD‑12T抗辐照SRAM存储单元电路，包括十个NMOS晶体管和两个PMOS晶体管，内围节点由PMOS晶体管P1和P2交叉耦合，NMOS晶体管N3和N4作为下拉管；外围节点由NMOS晶体管N5和N6交叉耦合，NMOS晶体管N1与N2作为上拉管；外围存储节点S0和S1通过控制NMOS晶体管N3和N4对内围存储节点Q和QB进行加固；内外围的四个存储节点Q、QB、S0、S1通过四个NMOS晶体管N7～N10连接到两条位线BL和BLN，四个NMOS晶体管N7～N10的开启由字线WL控制。该电路能够在牺牲较小单元面积的情况下大幅度提高存储单元的速度，降低存储单元的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 rhpd 12 辐照 sram 存储 单元 电路 | ||
【主权项】：
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