[发明专利]一种高出光率集成单元二极管芯片有效
| 申请号： | 201911356240.4 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN113036012B | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 闫春辉;蒋振宇 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L33/24 | 分类号： | H01L33/24;H01L33/38;H01L27/08 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 彭随丽 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高出光率集成单元二极管芯片，包括第一导电类型电极，第二导电类型电极，及远离第一导电类型电极的一侧形成n个二极管台面结构和沟槽结构，所述第二导电类型电极线沿所述第二导电类型层之上的沟槽延伸，所述延伸的第二导电类型电极线之间形成n个二极管单元台面结构，其中，n≥2，相邻二极管单元在垂直于所述第二导电类型电极线延伸方向上的距离根据电流扩散长度确定；所述第二导电类型电极、透明电极和第二导电类型层在垂直于台面的方向上不连通。本发明解决了现有技术存在的透明电极厚度限制电流横向扩散和LED出光效率的问题，提高了单位面积单元二极管芯片的流明输出，降低了流明成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高出光率 集成 单元 二极管 芯片 | ||
【主权项】：
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