[发明专利]氮化钛薄膜沉积方法在审
| 申请号： | 201911356970.4 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN110965023A | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 高晓丽;丁培军;王厚工;刘菲菲;宋海洋 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化钛薄膜沉积方法，包括：向反应腔室通入工艺气体；向含钛靶材施加直流功率，以激发所述工艺气体形成等离子体，轰击所述含钛靶材，并在晶片上沉积形成氮化钛薄膜；其中，所述工艺气体包括氮气和惰性气体，所述直流功率与所述氮气的流量的比例为一个固定值。应用本发明，可提高含钛靶材原子的离化率，使含钛靶材离子以一定的速度向晶片运动，达到轰击薄膜表面的作用，从而抑制薄膜的立方生长晶向，促进薄膜的斜方生长晶向，继而改变了薄膜物质的内部结构，减少薄膜内部缺陷，可以获得电阻率更低的膜层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 薄膜 沉积 方法 | ||
【主权项】：
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