[发明专利]X射线平板探测器及制备方法有效
| 申请号： | 201911357250.X | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111081728B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 甘新式;程丙勋;钟良兆;杨炯灿 | 申请（专利权）人： | 上海奕瑞光电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;G01T1/20 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201201 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种X射线平板探测器及制备方法，X射线平板探测器包括TFT基底、CsI:Tl闪烁体层以及光选择层，通过光选择层，使得CsI:Tl闪烁体层与光选择层的第一表面相接触，TFT基底与光选择层的第二表面相接触，从而通过光选择层对由CsI:Tl闪烁体层所产生的荧光进行选择，以减小TFT基底的余辉，从而减小X射线平板探测器的余辉。 | ||
| 搜索关键词： | 射线 平板 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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