[发明专利]半导体装置制造方法在审

专利信息
申请号: 201911357387.5 申请日: 2019-12-25
公开(公告)号: CN111383934A 公开(公告)日: 2020-07-07
发明(设计)人: 三田亮太;市川智昭 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L21/603;H01L33/62
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供半导体装置制造方法,其包括:转印工序、临时固定工序和接合工序。转印工序中,使片材体X中的含有烧结性颗粒的接合用片材(10)一侧粘贴在半导体元件组件(20)中的接合对象部(21)后,将在接合用片材(10)中压接在接合对象部(21)上的部位作为接合用材料层(11)残留于该接合对象部(21)上且使其他部位伴随于基材B的同时,进行基材B的剥离。临时固定工序中,将带有接合用材料层(11)的接合对象部(21)借助该接合用材料层(11)临时固定在基板上。接合工序中,由夹设于临时固定的接合对象部(21)与基板之间的接合用材料层(11)经过加热过程形成接合层,将接合对象部(21)接合在基板上。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
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