[发明专利]碳化硅陶瓷及其制备方法和半导体零件有效
| 申请号： | 201911360846.5 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111004034B | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 王绍隆;向其军;谭毅成 | 申请（专利权）人： | 深圳市商德先进陶瓷股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/573;C04B35/628;C04B35/638 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 单骁越 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳化硅陶瓷及其制备方法和半导体零件。上述碳化硅陶瓷的制备方法包括如下步骤：将碳化硅微粉、金属元素的氯化物、环氧丙烷、第一分散剂及第一溶剂混合并在真空条件、700℃～900℃下进行加热处理，得到预处理颗粒，其中，金属元素为稀土元素或锶元素；将预处理颗粒与第二分散剂、粘结剂、第二溶剂和第一碳源混合并造粒，得到造粒粉；将造粒粉成型，得到第一预制坯；将第一预制坯与第二碳源加热混合，使第二碳源呈液态，然后加压至3MPa～7MPa，得到第二预制坯；将第二预制坯和硅粉进行反应烧结，得到碳化硅陶瓷。上述碳化硅陶瓷的制备方法能够得到力学性能较好的碳化硅陶瓷。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 陶瓷 及其 制备 方法 半导体 零件 | ||
【主权项】：
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