[发明专利]检测闪存位线之间漏电结构的制造方法及漏电检测方法有效
| 申请号： | 201911360934.5 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111092024B | 公开（公告）日： | 2023-02-07 |
| 发明（设计）人： | 李娟娟;田志 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H10B41/30 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种检测闪存位线之间漏电结构的制造方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成浅沟槽隔离结构与有源区，在所述有源区的上方形成隧穿氧化层，在所述隧穿氧化层的上方形成浮栅，在所述浮栅上形成栅间介质层，以及控制栅；通过控制栅刻蚀，去除控制栅、栅间介质层和隧穿氧化层，漏出所述有源区，在所述有源区内形成位线；在所述有源区上方形成有源区与第一层金属的连接层，以及位于所述有源区与第一层金属的连接层上的第一层金属；在所述第一层金属上形成第一层金属与第二层金属的连接层，以及位于所述第一层金属与第二层金属的连接层上的第二层金属。通过第二层金属分别将所述闪存结构的位线引出，即可测试闪存相邻的位线之间是否漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 闪存 之间 漏电 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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