[发明专利]一种制造垂直腔面发射激光器的精简工艺流程方法有效
| 申请号： | 201911362109.9 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN110768105B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 翁玮呈;丁维遵;刘嵩;梁栋 | 申请（专利权）人： | 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/187 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人： | 阎冬 |
| 地址： | 213164 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制造垂直腔面发射激光器的精简工艺流程方法，相对于传统的VCSEL制造方法，本制造方法将P型欧姆接触金属与阳极焊盘金属结合为一次光刻工艺，可以实现完整包覆发光平台侧壁或者完整填埋为氧化刻蚀而制作的沟道，形成有效连接P电极金属层;同时，由于金属是连续的，器件的散热不受影响。这个制作工艺将原本需要多次光刻的工艺凝缩成一张光罩实现，在VCSEL量产制造中形成成本优势。最后，P和N电极金属层可以共享一次退火工艺同时实现良好的欧姆连接。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 垂直 发射 激光器 精简 工艺流程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造垂直腔面发射激光器的精简工艺流程方法，其特征在于：具体包括以下步骤：/n1）制备VCSEL器件半导体外延层结构，并进行第一次化学沉积形成第一钝化层；/n2）在所述外延层结构上刻蚀形成沟道或形成发光台面结构；/n3）利用所述沟道暴露出氧化层，定义出对应的发光区域；/n4）进行第二次化学沉积，形成第二钝化层，并将水平方向上台面边缘以内与发光区域以外之间的钝化层刻蚀掉以形成P型欧姆接触区，将切割道的第一钝化层、第二钝化层刻蚀掉以形成单元芯片区；/n5）在所述第二钝化层上，光刻定义出P型欧姆接触金属，然后镀多层P型欧姆金属形成P电极金属层；/n6）在N型衬底下镀N电极金属层；/n通过调节P型欧姆接触金属厚度，将P型欧姆接触金属作为阳极焊盘金属使用。/n
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