[发明专利]晶体硅切割废料制备超冶金级硅的方法在审
| 申请号： | 201911363667.7 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN110963493A | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 王志;钱国余;王东;庞昇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院过程工程研究所 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种晶体硅切割废料制备超冶金级硅的方法，该方法包括将晶体硅切割废料进行第一次预处理后得到晶体硅粗选料浆液，将粗选料浆液经第二次预处理后得到净化精选料；将得到的净化精选料经压块处理后得到第一精选料块，将第一精选块料经控氧熔炼精炼处理后渣、硅分离，得到第一熔体硅和第一精炼渣；将第一熔体硅和/或第一精炼渣进行杂质化学重构后得到第一改性固体硅和/或第二改性固体硅；将得到的第一改性固体硅和/或第二改性固体硅中的重构杂质相去除后得到所述超冶金级硅。该方法具有短流程、清洁化、低成本的有点，易于实现晶体硅切割硅料高值化再生循环的规模化应用。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 切割 废料 制备 冶金 方法 | ||
【主权项】：
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