[发明专利]一种改善薄膜缺陷的方法在审
| 申请号： | 201911364401.4 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111146077A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 米魁;程刘锁 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种改善薄膜缺陷的方法，包括：将气相物传输至反应腔中的晶圆表面；气相物发生化学反应后形成反应分子；反应分子吸附在所述晶圆表面，并在晶圆表面成核逐步变大淀积成薄膜；淀积完成后，将气态副产物抽离反应腔；对晶圆表面进行NH3等离子体处理以减少晶圆表面缺陷产生。本发明对化学气相沉淀完成后以N2作为载气通入NH3等离子体，对晶圆表面进行处理用以中和悬挂键，可以明显减少氮化硅缺陷数量，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 薄膜 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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