[发明专利]一种减少晶圆边缘聚焦不良的方法有效
| 申请号： | 201911364438.7 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111103768B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 李玉华;吴长明;姚振海;金乐群;黄发彬 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种减少晶圆边缘聚焦不良的方法，编写ASML曝光排布模拟软件和ASML光刻机水平采样模拟软件；模拟ASML曝光排布和ASML光刻机水平采样点位置；确认有完整die的边缘部分shot是否有水平采样点，若无则进行步骤四，若有则进行产品片作业；优化曝光排布，保证有完整die的shot至少有一个水平采样点为止。本发明通过编写模拟曝光排布软件和模拟光刻机水平采样软件、模拟曝光排布和光刻机水平采样点位置、以及优化曝光排布的方法可以在产品片流片前进行优化，避免产品出现异常后再进行，减少了异常发生。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 边缘 聚焦 不良 方法 | ||
【主权项】：
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