[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201911364554.9 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN112436005A | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 井野户秀和;高田修;寺田直纯;北原宏良 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L29/423 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 牛玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式提供电平移位电路能够长期间稳定地动作的半导体装置。实施方式的半导体装置具备增强型的第1～第6晶体管。上述第1以及上述第4晶体管为p沟道型。上述第2、第3、第5以及第6晶体管为n沟道型。上述第3晶体管的耐压比上述第2晶体管的耐压低。上述第6晶体管的耐压比上述第5晶体管的耐压低。上述第1晶体管、上述第2晶体管、以及上述第3晶体管串联连接在第1电源电位与比上述第1电源电位低的第2电源电位之间。上述第4晶体管、上述第5晶体管、以及上述第6晶体管也串联连接在上述第1电源电位与上述第2电源电位之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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