[发明专利]清扫离子注入机束流通道的方法在审
| 申请号： | 201911364603.9 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111146068A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 韩继武;刘善善 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种清扫离子注入机束流通道的方法，使用样本离子，通过调整离子的能量及束流条件，以及调整设备参数，使离子束尽可能发散，通过发散的离子束流轰击束流通道侧壁上的镀层，将侧壁上的镀层轰击下来形成颗粒，实现清扫离子注入机束流通道的目的。本发明使用特定的离子、能量及束流条件，通过调节离子束的发散程度，使离子轰击束流通道的侧壁，迫使侧壁上的镀层提前剥落，击碎的镀层变成微粒随束流进入工艺腔，部分随排气排出，部分进入放置在托盘上的光刻胶晶圆。本方法可以减少镀层在注入过程中随机剥落的概率，降低良率低的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 清扫 离子 注入 流通 方法 | ||
【主权项】：
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