[发明专利]结晶性氧化物半导体、半导体装置及半导体系统在审
| 申请号： | 201911364732.8 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111384158A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 高桥勋;鸟山达矢;杉本雅裕;四戸孝;上东秀幸;大原淳士;广濑富佐雄;松木英夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社FLOSFIA;株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L23/367;H01L29/732;H01L29/739;H01L29/778;H01L29/786;H01L29/872;H01L33/26;H01L33/64 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 刁兴利;康泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种对要求散热性的半导体装置等有用的、晶体品质优异的结晶性氧化物半导体、半导体装置及半导体系统。在形成至少包括第一晶轴和第二晶轴的结晶性氧化物半导体时，通过使第二边比第一边短，使第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，使第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，使第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行，从而得到一种结晶性氧化物半导体，该结晶性氧化物半导体至少包括第一边和比第一边短的第二边，第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行。 | ||
| 搜索关键词： | 结晶 氧化物 半导体 装置 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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