[发明专利]制造半导体装置的方法在审
| 申请号： | 201911366280.7 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN112305861A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 郭宏瑞;李明潭;李兴杰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;G03F7/26 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 王素琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在光刻胶成像期间，利用单层工艺来减少摆动效应干扰及反射。向光刻胶中加入了抗反射添加剂，其中所述抗反射添加剂具有染料部分及反应部分。在分配时，反应部分将与下伏结构反应，以在下伏结构与光刻胶的剩余部分之间形成抗反射涂层。在成像期间，抗反射涂层将吸收能量从而防止能量被反射，或将改变反射的光学路径从而有助于减少由反射能量导致的干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
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