[发明专利]一种发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201911366643.7 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN110957401B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 卓祥景;程伟;尧刚;万志;蔺宇航 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/04;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 潘颖 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，本发明提供的发光二极管包括有复合浅量子阱，提高大电流密度下空穴的注入效率。通过第一界面调制层减缓窄阱宽垒超晶格层和窄阱窄垒超晶格层的界面处的能带弯曲，及通过第二界面调制层减缓窄阱窄垒超晶格层和多量子阱发光层的界面处的能带弯曲，降低由此引入的异质势垒高度，进而降低发光二极管的工作电压且提高发光二极管的发光效率。通过位于缺陷覆盖层来覆盖填平多量子阱发光层和复合浅量子阱上形成的V型缺陷，而有效的阻挡电流进入V型缺陷，从而有效减少V型缺陷所形成的漏电通道，使得空穴从非V型缺陷区域进入多量子阱发光层，增大空穴‑电子复合几率，最终提高了发光二极管的可靠性和发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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