[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201911367935.2 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111384021A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 平田竜也;坂田勇男;清水建树 | 申请（专利权）人： | 旭化成株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供再布线层中的层间绝缘膜与封装材料的密合性优异且电特性优异的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置(1)的特征在于，具备半导体芯片(2)、覆盖半导体芯片的封装材料(3)、以及在俯视时面积大于前述半导体芯片的再布线层(4)，再布线层的层间绝缘膜(6)在空气气氛下、以10℃/分钟温至700℃后的失重率为5～95重量％。根据本发明，能够提供再布线层中的层间绝缘膜与封装材料的密合性优异且电特性优异的半导体装置及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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