[发明专利]一种硅基OLED微显示器的制备方法在审
申请号: | 201911369454.5 | 申请日: | 2019-12-26 |
公开(公告)号: | CN111048571A | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 吴忠厚;赵铮涛;晋芳铭;王登峰 | 申请(专利权)人: | 安徽熙泰智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人: | 方文倩 |
地址: | 241000 安徽省芜湖市芜湖长江*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种硅基OLED微显示器的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1)在硅基CMOS驱动电路基板的电极上形成焊盘保护胶;步骤2)在硅基CMOS驱动电路基板上制作阳极电极;步骤3)在阳极电极之间制备阳极绝缘层;步骤4)蒸镀制作OLED层;步骤5)制作阴极和薄膜封装层;步骤6)薄膜封装层制备完成后,剥离电极保护胶。本发明硅基OLED微显示器的制备方法,可有效的保护电极,提高产品性能,具有较好的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 oled 显示器 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的