[发明专利]发光二极管在审
| 申请号： | 201911369944.5 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111509100A | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 金在权;许暋赞;金京完;金钟奎;金贤儿;李俊燮 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人： | 李英艳;玉昌峰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一实施例的发光二极管包括：第一导电型半导体层；台面，位于第一导电型半导体层上，并包括活性层以及第二导电型半导体层；以及下绝缘层，覆盖台面以及在台面周围暴露的第一导电型半导体层的至少一部分，并具有用于允许与第一导电型半导体层电接通的第一开口部以及用于允许与第二导电型半导体层电接通的第二开口部，活性层生成具有500nm以下峰值波长的光，下绝缘层包括分布布拉格反射器，下绝缘层具有在可视区域的波长范围内连续表现出90％以上反射率的高反射波段，高反射波段中包括在活性层中生成的光的峰值波长的第一波长区域中的反射率比554nm至700nm范围内的第二波长区域中的反射率高，第一波长区域位于比554nm短的波长区域。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
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