[发明专利]一种CVD制备碳化硅陶瓷的方法在审
| 申请号： | 201911370627.5 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111018535A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 刘佳宝;汪洋;万强;柴攀;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 湖南德智新材料有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/573 | 分类号： | C04B35/573;C04B35/622 |
| 代理公司： | 长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙) 43213 | 代理人： | 魏龙霞 |
| 地址： | 412007 湖南省株洲市天元区中*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CVD制备碳化硅陶瓷的方法，包括以下步骤：(1)用石墨纸将石墨基体包裹起来，只暴露石墨基体的一面；(2)将经步骤(1)处理的石墨基体放入管式炉中，通入三氯甲基硅烷、氩气和氢气进行气相沉积；(3)除掉石墨基体表面包裹的石墨纸；(4)对步骤(3)后得到的材料进行热处理，得到碳化硅陶瓷块体。本发明的制备过程中先用石墨纸将石墨基体包裹起来，只暴露石墨基体的一面，其余各面均采用石墨纸包裹起来，然后进行气相沉积，通过控制沉积的流量和时间，在基体裸露的表面沉积厚厚一层块状碳化硅，再去掉石墨纸，并进行热处理去除石墨基体，从而得到块状碳化硅陶瓷，使碳化硅陶瓷采用化学气相沉积法制备成为可能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cvd 制备 碳化硅 陶瓷 方法 | ||
【主权项】：
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