[发明专利]在中低频电路系统中应用的抗电荷共享D锁存器有效

专利信息
申请号: 201911371797.5 申请日: 2019-12-26
公开(公告)号: CN111030668B 公开(公告)日: 2022-04-26
发明(设计)人: 郭靖;蔡宣明 申请(专利权)人: 中北大学
主分类号: H03K19/003 分类号: H03K19/003
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 董玉娇
地址: 030051 山西省*** 国省代码: 山西;14
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摘要: 在中低频电路系统中应用的抗电荷共享D锁存器,属于集成电路可靠性中的抗辐射加固领域。解决了传统的抗电荷共享D锁存器存在硬件开销大、器件面积大、功耗高、传输时间长的问题。本发明将晶体管TP1的栅极、晶体管TN3的栅极和节点S5相连接,将晶体管TP2的栅极、晶体管TN4的栅极和节点S6相连接,将晶体管TP9的栅极、晶体管TN9的栅极和节点S1相连接,将晶体管TP10的栅极、晶体管TN10的栅极和节点S2相连接,这种连接方式可以将面积最小化,因为在版图上一般采取就近连接的方式来降低版图面积;同时,这种连接方式还可以同时提高对节点S3、S4、S7、S8的抗翻转的能力。本发明主要应用于中低频电路系统中。
搜索关键词: 低频 电路 系统 应用 电荷 共享 锁存器
【主权项】:
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