[发明专利]一种N型单晶硅片的制备方法

摘要

本发明公开了一种N型单晶硅片的制备方法，包括：选取N型单晶硅片，对硅片进行碱制绒，使得所述N型单晶硅片衬底的正背表面形成金字塔状的减反射绒面；在减反射绒面上进行二次制绒；对二次制绒面进行清洗；将硅片进行硼扩散，在硅片表面形成P型层；去除硅片边缘PN结；去除硅片正面硼硅玻璃；沉积硅片背面氧化铝钝化层；在硅片的正面和背面镀氮化硅反射膜；在硅片的正面和背面印刷银栅线；高温快速烧结。该制备方法能满足不同厚度硅片的需求。