[发明专利]一种高维持电压横向SCR器件在审
| 申请号： | 201911372211.7 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111092076A | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 乔明;张发备;梁龙飞;齐钊;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种高维持电压横向SCR器件，包括：P型衬底，N型阱区，P型阱区，阳极第一N+接触区，阳极第一P+接触区，N+低触发区，阴极第二P+隔离区，与阴极第二P+隔离区相切的阴极第二N+接触区，与阴极第二N+接触区相切的阴极第一P+隔离区，与阴极第一P+隔离区相切的阴极第一N+接触区，与阴极第一N+接触区相切的第二P+接触区，一端与阴极第二N+接触区相连的第一阴极补偿电阻，阳极第一N+接触区与第一P+接触区表面用金属短接构成器件阳极，阴极第一N+接触区与第二P+接触区表面用金属短接并与第一阴极补偿电阻另一端相连构成器件阴极，本发明提高了SCR器件的维持电压，提高器件抗闩锁能力，改善了器件阴极区电流分布，提高了器件鲁棒性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 维持 电压 横向 scr 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
