[发明专利]一种估算干刻设备中等离子体气体温度的方法在审
| 申请号： | 201911372357.1 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111029239A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 张杰;孙磊;李全波 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67;H01L21/66;G01K11/30 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种估算干刻设备中等离子体气体温度的方法，提供刻蚀中的等离子气体；采集该刻蚀中的气体的发光谱线；将该发光谱线与所述等离子气体已有的波形‑温度函数进行拟合；选出拟合度最接近的已有的波形‑温度函数；从拟合度最接近的波形‑温度函数中得出该等离子气体的温度。本发明通过在干刻设备中利用发射光谱特定波长的发光谱线强度来估算等离子体的气体温度，由于干刻设备中本身都装有终端检测系统，因此不需要额外的成本即可估算出等离子体气体的温度，避免了现有技术中使用探针进行检测的不准确，提高了产品的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 估算 设备 等离子体 气体 温度 方法 | ||
【主权项】：
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