[发明专利]一种薄膜型多孔离子源的制备方法有效

专利信息
申请号: 201911372459.3 申请日: 2019-12-27
公开(公告)号: CN111105982B 公开(公告)日: 2022-04-05
发明(设计)人: 龙开明;杨楚汀;刘雪梅 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
主分类号: H01J49/10 分类号: H01J49/10;H01J49/26;B22F1/107;B22F3/11;B22F3/22
代理公司: 中国工程物理研究院专利中心 51210 代理人: 翟长明;张保朝
地址: 621999 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种薄膜型多孔离子源的制备方法,包括原料混合、制备源片、烧结和涂样,原料混合是先将铼粉和铂粉充分混合均匀后,加入液体胶水搅拌均匀并在自然环境条件下静置成均匀的混合体。制备源片是先将原料混合步骤制备的铼粉、铂粉和液体胶水的混合体加入稀释剂,充分搅拌成均匀的稀浆糊化的混合物,再将混合物倒入底面平整的模具中,使混合物在模具内形成平整的膜,并自然干燥后切割成源片。本发明通过在自然环境温度条件下、使用液体胶水实现铼粉和铂粉的混合,避免了离子源中铼粉和铂粉均匀性问题,从而简化了相应的处理工艺流程。同时,采用平板自然成膜方式,保证了膜的厚度较为一致,能够实现膜的厚度控制,使得待分析核素的电离效率较高而且较为稳定。
搜索关键词: 一种 薄膜 多孔 离子源 制备 方法
【主权项】:
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