[发明专利]芯片封装方法、刻蚀设备及芯片有效
| 申请号： | 201911373510.2 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN113035773B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 王文兵;史波;肖婷 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/67;H01L23/528;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人： | 郭金鑫;刘蔓莉 |
| 地址： | 519070*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及一种芯片封装方法、刻蚀设备及芯片，所述方法包括：对芯片表面第一金属层进行刻蚀，以使所述第一金属层表面的粗糙度达到预设的粗糙度阈值，所述粗糙度阈值对应的范围包括：88um～108um；在完成刻蚀后的所述第一金属层表面上设置第二金属层，在对第一金属层进行刻蚀的过程中，控制第一金属层表面的粗糙度达到粗糙度阈值，该粗糙度达到粗糙度阈值时可以使第一金属层与第二金属层(第二金属层为AL层，且金属AL的流动性不强)的结合力达到最优，避免在芯片封装过程中因两金属层之间结合力欠佳造成的芯片报废，提升芯片的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 封装 方法 刻蚀 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
