[发明专利]晶圆温度控制器及系统、方法和等离子体处理装置在审
| 申请号： | 201911377075.0 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN113053775A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 叶如彬;吴磊;张一川;伊凡·比久科夫 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683;H01J37/32 |
| 代理公司： | 深圳中创智财知识产权代理有限公司 44553 | 代理人： | 文言;娄建平 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明适用于半导体技术领域，公开了晶圆温度控制器、晶圆温度控制系统、晶圆温度控制方法和等离子体处理装置。其中，晶圆温度控制系统包括：基座，用于承载一静电卡盘，所述基座内部设置至少两个可独立控温的第一冷却区域；静电卡盘，包括用于承载晶圆的承载面，所述承载面上设置至少两个可独立控温的第二气体冷却区域；所述第一冷却区域和所述第二气体冷却区域在垂直于静电卡盘表面的方向上不完全重合。本发明能够实现晶圆温度分布均匀的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 温度 控制器 系统 方法 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
